浅谈平面高压VDMOS工艺平台发展

• 作者: 鄢细根
• 来源期刊: 电子质量
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOS工艺平台 元胞 主结 终端结构 分压环 场板 空间电荷区 PN结 EAS
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 页码范围: 1-8,13
• 页数: 9页
• 分类号: TN432
• 字数: 7231字
• 语种: 中文

摘要

该文从国内生产线的实际出发，简单介绍了目前国内主流功率VDMOS器件生产厂家所采用的平面高压VDMOS工艺平台，初步总结了当前各种成熟工艺平台具有的特点与优点，希望该文有助于国内同行之间相互借鉴与提高，目的是促进民族工业不断向前发展。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	鄢细根		2	1	1.0	1.0