A位取代对PZN-PNN-PZT压电陶瓷性能的影响

• 作者: 冯小东 刘相果 蹇胜勇
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-Pb(Ni1/3 Nb2/3) O3-Pb (ZrTi) O3(PZN-PNN-PZT)压电陶瓷 高介电常数 高压电常数
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 页码范围: 100-102
• 页数: 3页
• 分类号: TM281|TN384
• 字数: 1092字
• 语种: 中文

摘要

以固态氧化物为原料,采用固态合成工艺制备Pb(Zn1/3 Nb2/3)O3-Pb(Ni1/3 Nb2/3)O3-Pb (ZrTi)O3(PZN-PNN-PZT)压电陶瓷,并研究了锆钛比(r(Zr) /r(Ti))、Ba2+的A位取代及Ba2+、La3+的A位复合取代对压电陶瓷电性能的影响.结果表明,PZN-PNN-PZT压电陶瓷在r(Zr)/r(Ti)=1.03下,进行Ba2+,La3+的A位复合取代后,即式子在Pb0.92Ba0.04La0.04 (Ni1/3 Nb2/3)y(Zn1/3Nb2/3)zZrm TinO3时压电性能最佳,其介电常数εT33/ε0=5 657,压电常数d33=709 pC/N,机电耦合系数kp=0.69,品质因数Qm =45,居里温度Tc=180.9℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯小东		5	8	2.0	2.0
2	蹇胜勇		5	11	2.0	3.0
3	刘相果		8	11	2.0	2.0