温度和掺杂浓度对delta掺杂GaAs量子阱电子态结构和子带间光学吸收的影响

• 作者: 杨双波 赵恒飞
• 来源期刊: 南京师大学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: GaAs量子阱 入射光吸收系数 温度 掺杂浓度 电子态结构
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 51-58
• 页数: 8页
• 分类号: O413.1
• 字数: 4527字
• 语种: 中文

摘要

在有效质量近似下，通过自洽计算求解薛定谔方程和泊松方程，得到了温度不为零时Si δ掺杂的GaAs量子阱系统的电子态结构。研究了温度和掺杂浓度对系统子带能量、费米能级、电子密度分布和子带间光学吸收系数的影响。发现在一定的掺杂浓度下，费米能级会随着温度的升高而降低，子带间入射光总的吸收系数随温度升高而降低；在温度一定时，费米能级和子带能级随掺杂浓度的增大而增大，子带间入射光总吸收系数随掺杂浓度增大而增大。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨双波	南京师范大学物理科学与技术学院	21	31	3.0	4.0
2	赵恒飞	南京师范大学物理科学与技术学院	1	3	1.0	1.0