栅极绝缘层和有源层沉积工艺的优化对TFT特性的影响研究

• 作者: 姜晓辉 张文余 张金中 田宗民 谢振宇 郭建 闵泰烨 陈旭
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 栅极绝缘层 有源层 沉积条件优化 TFT特性
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 电子器件
• 页码范围: 32-37
• 分类号: TN141.9
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2014.01.08

摘要

通过对低速沉积的栅极绝缘层(GL层)和低速沉积的有源层(AL层)的薄膜沉积条件进行了优化,分析了沉积AL层的功率,间距等条件的变更对薄膜的沉积速率和均匀性的影响,解释这些工艺条件对Ⅰon的影响的本质,确定最佳的沉积AL层的沉积条件;调整了GL层的功率和NH3流量,分析了两者对Ⅰon的影响规律并分析了内在的原因.通过对比优化前后的薄膜晶体管(TFT)特性曲线发现,Ⅰon提升了32％,开关比(Ⅰon/Ⅰoff)提升了约40％,达到了优化TFT特性的目的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈旭		11	41	4.0	5.0
2	郭建		8	24	3.0	4.0
3	闵泰烨		10	33	4.0	4.0
4	谢振宇		12	62	5.0	7.0
5	张文余		5	19	3.0	4.0
6	张金中		4	13	2.0	3.0
7	田宗民		3	8	2.0	2.0
8	姜晓辉		2	7	2.0	2.0