基于0.18μm CMOS高压工艺的低压器件优化设计

• 作者: 华梦琪 宣志斌 张又丹 朱琪
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS HVMOS LDMOS BICMOS
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 页码范围: 23-25
• 页数: 3页
• 分类号: TN402
• 字数: 2224字
• 语种: 中文

摘要

产品设计时，是否能灵活应用低压器件与高压器件对一款成功的设计而言至关重要。设计一款多电源芯片，器件电压种类繁多，最高电源为±15 V，基于SMIC 0.18μm 40 V HV-LDMOS工艺，5 V低压器件版图采用优化设计，在±15 V电源下，在同一芯片上实现了电路的高低压转换，没有发生击穿漏电现象，并满足了各种器件的电特性指标，产品工作稳定、性能可靠，并且整体性能良好。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张又丹		3	4	1.0	2.0
2	朱琪		5	7	1.0	2.0
3	宣志斌		8	7	2.0	2.0
4	华梦琪		4	6	1.0	2.0