绝缘栅双极型晶体管的研究进展

• 作者: 任敏 张波 张金平 李泽宏 陈万军
• 来源期刊: 中国电子科学研究院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 功率半导体器件 绝缘栅双极型晶体管 研究进展
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: “电子基础技术研究”专题
• 页码范围: 111-119
• 页数: 9页
• 分类号: TN32
• 字数: 5105字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5692.2014.02.001

摘要

作为一种新型的功率半导体器件,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)以其优越的性能,成为中高功率电力电子领域的主流功率开关器件,被广泛应用于智能电网、新能源、高速铁路、工业控制、汽车电子、家电产品、消费电子等领域.概述了IGBT的演变历程以及主要技术发展,同时对我国IG-BT的发展现状进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	206	1313	17.0	26.0
2	陈万军	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	18	128	4.0	11.0
3	张金平	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	19	83	5.0	8.0
4	李泽宏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	32	111	6.0	8.0
5	任敏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	22	46	4.0	5.0