纳米针阵列Cu-O-Sb-Sn的制备及储锂性能

• 作者: 段宇豪 贾梦秋 陈橙
• 来源期刊: 电池
• 学科: 工学
• 关键词: 复合电极 纳米针阵列 电沉积 锂离子电池
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 科研论文
• 页码范围: 327-330
• 页数: 4页
• 分类号: TM912.9
• 字数: 3742字
• 语种: 中文

摘要

通过阳极氧化法在铜基体上生成Cu(OH)2纳米针阵列,以此为基体,使用脉冲电沉积法制备Cu(OH)2-SbSn前驱体,在400℃下煅烧2h,得到Cu-O-Sb-Sn复合电极.用XRD、SEM和充放电测试,分析产物物相组成、形貌结构与电化学性能的关系.热处理后,具有纳米针阵列的Cu-O-Sb-Sn复合电极性能较好.以0.15 mA/cm2的电流密度在0.01 ～1.80 V充放电,首次可逆容量密度为1.68 mAh/cm2,第50次循环的可逆容量密度为1.15 mAh/cm2.热处理过程中生成的复杂多相和稳定的纳米针阵列结构,可提供足够的空间来缓解活性物质在充放电过程中的体积变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贾梦秋	北京化工大学材料科学与工程学院	56	726	14.0	26.0
2	陈橙	北京化工大学材料科学与工程学院	2	0	0.0	0.0
3	段宇豪	北京化工大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0