共源共栅两级运放的三种补偿结构分析和比较

• 作者: 乔明 胡利志
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 米勒补偿 共源共栅 运算放大器
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 页码范围: 19-22
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 1906字
• 语种: 中文

摘要

提出了三种应用于两级CMOS运算放大器的米勒电容补偿结构，分析了三种结构的小信号等效电路，得到传递函数和零点、极点的位置，以此分析和实现三种结构的频率补偿。其中两种共源共栅米勒补偿结构与直接米勒补偿结构相比，能用更小的芯片面积实现更优的运放性能，得到更大的单位增益带宽积和相位裕度，实现更好的频率特性。通过使用0.18μm CMOS工艺对电路进行仿真，结果验证了共源共栅米勒补偿技术的优越性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	乔明	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	35	178	8.0	12.0
2	胡利志	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	12	2.0	2.0