GaN功率开关器件的发展与微尺度功率变换

• 作者: 赵正平
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 常开GaN功率开关器件 常关GaN功率开关器件 GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) GaN异质结场效应晶体管(HFET) 增强型器件 功率变换
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 1-6,13
• 分类号: TN323
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.01.001

摘要

GaN材料具有高的击穿场强、高的载流子饱和速度和能形成高迁移率、高密度的二维电子气,使得GaN功率开关器件具有关断电压高、导通电阻小、工作频率高等特点.GaN功率开关器件将成为高效率与超高频(UHF)电力电子学发展的重要基础之一.综述了GaN功率开关器件的发展历程、现状、关键技术突破、应用研究和微功率变换集成.重点评估了常开和常关两类GaN功率开关器件的异质结外延材料的结构、器件结构优化、器件的关键工艺、增强型器件的形成技术、器件性能、可靠性、应用特点和微系统集成.最后总结了新世纪以来GaN新一代电力电子器件技术进步的亮点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵正平		46	197	7.0	12.0