PECVD 法制备氢化非晶硅薄膜材料

• 作者: 刘剑 沈佳露 董晶 黄仕华
• 来源期刊: 浙江师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: PECVD 非晶硅薄膜 掺杂 氢稀释度 电导率
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 重点学科研究
• 页码范围: 121-125
• 页数: 5页
• 分类号: O475
• 字数: 3175字
• 语种: 中文

摘要

采用等离子增强化学气象沉积（plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD）法在普通玻璃上沉积非晶硅薄膜材料.通过控制变量分别研究了 p，n 层的掺杂浓度、氢稀释度及 i 层的反应气压对薄膜材料性能的影响.结果表明：p 层材料在掺杂浓度为6.67%、氢稀释度为10.6时有较高的暗电导率和较低的沉积速率；n 层材料在掺杂浓度为3.33%、氢稀释度为8.3时有较高的暗电导率和较低的沉积速率；i 层材料在反应气压为95 Pa、氢稀释度为15时有较高的光暗电导率之比.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄仕华	浙江师范大学数理与信息工程学院	35	96	5.0	8.0
2	董晶	浙江师范大学数理与信息工程学院	1	1	1.0	1.0
3	沈佳露	浙江师范大学数理与信息工程学院	1	1	1.0	1.0
4	刘剑	浙江师范大学数理与信息工程学院	1	1	1.0	1.0