C 掺杂浓度对 ZnO 薄膜电学和结构的影响

• 作者: 卞萍 孔春阳 张萍 徐庆 李万俊 秦国平
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: C掺杂ZnO 电学特性 XPS Raman
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 所属期刊栏目: 研究?开发
• 页码范围: 7057-7060,7065
• 页数: 5页
• 分类号: O472|O474
• 字数: 2342字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2014.07.011

摘要

采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上成功制备了不同 C 掺杂浓度的 ZnO∶C 薄膜，借助于 X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试(Hall)、X 射线光电子谱(XPS)和拉曼散射光谱(Raman)等测试手段系统研究了 ZnO 薄膜的结构、电学以及拉曼特性并分析了 C 在ZnO 薄膜中存在形式。结果表明，所有薄膜都呈纤锌矿结构并具有高度的 c 轴择优取向。随着 C 掺杂浓度的增加，薄膜的 n 型导电性能不断增强，其主要原因是ZnO 薄膜中的 C 替代 Zn 位起施主作用。