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摘要:
采用微接触印刷技术和水热生长方法在硅基底上实现了ZnO种子层的图案化转移与纳米线阵列的可控制备.利用X射线衍射(XRD)、能量色散谱(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)等测试手段对制备的ZnO纳米线晶体结构、化学组分以及表面形貌进行了表征,并对制备的ZnO纳米线传感器进行了紫外特性测试.测试结果表明:随着紫外光强度的增加,传感器的光暗电流比和光响应度也随之增加.当紫外传感器偏压在4.5V时,其光暗电流比为80.8,响应度可达4.05 A/W.
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关键词热度
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文献信息
篇名 基于微接触印刷的ZnO紫外传感器特性研究
来源期刊 传感器与微系统 学科 工学
关键词 微接触印刷 水热法 ZnO纳米线阵列 紫外传感器
年,卷(期) 2014,(2) 所属期刊栏目 研究与探讨
研究方向 页码范围 50-53
页数 4页 分类号 TP305
字数 2151字 语种 中文
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传感器与微系统
月刊
1000-9787
23-1537/TN
大16开
哈尔滨市南岗区一曼街29号
14-203
1982
chi
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