真空、直流电压的电子辐射环境中聚酰亚胺材料的沿面闪络特性

• 作者: 吴文斌 张振军 杨沛 王学强 苗军 郑晓泉
• 来源期刊: 高电压技术
• 关键词: 电子辐射 沿面闪络 电子能量 束流密度 降解 陷阱
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 过电压与绝缘专题
• 页码范围: 117-123
• 页数: 7页
• 字数: 6338字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13336/j.1003-6520.hve.2014.01.017

摘要

为了提高聚酰亚胺材料(PI)在复杂工程环境下的可靠性,实验研究了真空电子辐射下PI的直流沿面闪络特性,并采用热刺激电流(TSC)法测试辐射前后试样的陷阱参数.结果表明,当辐射电子能量在0.5～20 keV范围内时,试样表面的闪络电压高于无辐射情况下的闪络电压;电子能量越高,介质表面正电荷密度和相对介电常数越小,陷阱深度增大,表面电场均衡性有所提高,因此闪络电压越高;在辐射电子能量不变情况下,束流密度越大,初始电子数越多,泄漏电流越大,则闪络电压越低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑晓泉	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	89	1360	21.0	33.0
2	张振军	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	22	206	9.0	13.0
3	杨沛	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	9	64	4.0	7.0
4	苗军		5	32	3.0	5.0
5	王学强		2	22	2.0	2.0
6	吴文斌	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	2	22	2.0	2.0