CdSiP2晶体中光散射颗粒的研究

• 作者: 张国栋 张翔 张西霞 李春龙 王善朋 陶绪堂
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磷硅镉 非线性光学晶体 晶体缺陷 垂直布里奇曼法
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 855-858
• 页数: 4页
• 分类号: O782
• 字数: 2153字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20130601

摘要

采用单温区法合成了CdSiP2(CSP)多晶原料,然后采用垂直布里奇曼法生长了大尺寸的CSP单晶。采用扫描电子显微镜、EDS 对晶体中光散射颗粒的尺寸、形貌和成分进行了观察和检测。测试结果表明,所生长的 CSP晶体中的光散射颗粒呈近椭圆形,尺寸为2~8μm,主要成分为Si,含量占88%以上。对CSP多晶合成的反应机理研究表明,此第二相颗粒是由于合成时多晶料中残留有少量未反应的 Si 单质所致。通过合成工艺的改进,有效地减少了晶体中Si散射颗粒的残留,制备出了高透明性的CSP单晶体。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国栋	山东大学晶体材料国家重点实验室山东大学晶体材料研究所	18	102	5.0	9.0
2	王善朋	山东大学晶体材料国家重点实验室山东大学晶体材料研究所	9	84	4.0	9.0
3	张翔	山东大学晶体材料国家重点实验室山东大学晶体材料研究所	22	50	4.0	6.0
4	李春龙	山东大学晶体材料国家重点实验室山东大学晶体材料研究所	1	4	1.0	1.0
5	张西霞	山东大学晶体材料国家重点实验室山东大学晶体材料研究所	1	4	1.0	1.0