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晶体硅表面制绒参数优化分析
晶体硅表面制绒参数优化分析
作者:
种法力
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
单晶硅
制绒
反射率
摘要:
目的:研究酸(HF 和 HNO3)、碱(NaOH)腐蚀液对晶体硅制绒的影响。方法通过改变 NaOH浓度、异丙醇浓度、腐蚀时间研究单晶硅片腐蚀,通过改变酸溶液浓度比研究多晶硅片腐蚀,通过分析微观形貌及表面反射率等考察制备晶体硅制绒工艺参数。结果单晶硅最佳的腐蚀液配比为:NaOH 质量浓度15 g / L,热碱温度80℃,异丙醇体积分数15%~20%,腐蚀时间10 min。在最优化参数下,晶体硅绒表面金字塔大小均匀,高度约为5μm,相邻金字塔间彼此相连,硅表面反射率降低至15%。在 V(HF):V(HNO3): V(CH3 COOH)=10:1:10,腐蚀速率为2μm/ min 时,晶体硅绒表面呈现较好的沟壑状绒面结构。结论溶液酸碱性的强弱和异丙醇对晶体硅制绒有较大影响,并且直接影响晶体硅的表面反射率。
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文献信息
篇名
晶体硅表面制绒参数优化分析
来源期刊
表面技术
学科
工学
关键词
单晶硅
制绒
反射率
年,卷(期)
2014,(5)
所属期刊栏目
应用技术 Applied Technology
研究方向
页码范围
87-90
页数
4页
分类号
TM914.4
字数
2062字
语种
中文
DOI
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单晶硅
制绒
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期刊影响力
表面技术
主办单位:
中国兵器工业第五九研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-3660
CN:
50-1083/TG
开本:
16开
出版地:
重庆市2331信箱(重庆市九龙破区石桥铺渝州路33号)
邮发代号:
78-31
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
5547
总下载数(次)
30
总被引数(次)
34163
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