PVK/Alq3复合薄膜的磁电阻效应

• 作者: 刘昊 杨甜甜 王伟 胡权
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 聚乙烯基咔唑(PVK) 8-羟基喹啉铝(Alq3) 迁移率 电阻效应 氧化铟锡(ITO)
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 30-33
• 分类号: TP212
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2014.01.005

摘要

使用匀胶法在ITO衬底上制备不同质量配比的聚乙烯基咔唑(PVK)/8-羟基喹啉铝(Alq3)复合薄膜,分别利用AFM和四探针法测量分析薄膜的成膜性能、表面形貌与低磁场强度电阻特性,研究分析在磁场下有机薄膜电阻效应的机理.研究发现PVK和Alq3的质量配比为4∶1时,PVK/Alq3材料成膜性好,薄膜表面均匀,电阻变化率达到-30.58％.分析其机理是外加磁场增强了薄膜内载流子的自旋极化,从而增加了极化子和单线态激子的形成概率.形成概率的增加提高了薄膜内载流子的迁移率,进而减小了薄膜的电阻值,导致了薄膜的电阻效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王伟	河北工业大学微电子研究所	50	144	7.0	10.0
2	杨甜甜	河北工业大学微电子研究所	2	3	1.0	1.0
3	刘昊	河北工业大学微电子研究所	1	0	0.0	0.0
4	胡权	河北工业大学微电子研究所	1	0	0.0	0.0