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摘要:
针对集成电路注入设备对等离子体大面积、高密度和良好均匀性的要求,利用CFD-ACE仿真软件对1500 mm×1500 mm大面积感应耦合等离子体腔室做了多物理场综合仿真.利用正交实验法对等离子体腔室结构和工艺参数进行仿真优化,得到了能够产生高密度均匀的等离子体优化参数.对参数优化后的等离子体腔室做了仿真分析,结果表明腔室中气体流速会受到电极卡盘上方线圈的扰动.另外仿真发现腔室中电极卡盘上方等离子体密度具有整体分布均匀,但是边缘部分出现等离子体密度陡变的特点.分析原因为工艺气体的扰动以及电极卡盘边缘上表面和侧面对等离子体双重复合两方面的影响.
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文献信息
篇名 浸没式等离子体注入设备的仿真优化
来源期刊 真空科学与技术学报 学科 工学
关键词 感应耦合等离子体 正交实验 参数优化 边缘效应
年,卷(期) 2014,(3) 所属期刊栏目 等离子体技术
研究方向 页码范围 282-288
页数 分类号 TB756
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-7126.2014.03.17
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 夏洋 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室 67 325 9.0 14.0
2 张阳 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室 53 239 9.0 14.0
3 李超波 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室 31 120 7.0 9.0
4 窦伟 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室 8 600 7.0 8.0
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研究主题发展历程
节点文献
感应耦合等离子体
正交实验
参数优化
边缘效应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
真空科学与技术学报
月刊
1672-7126
11-5177/TB
大16开
北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室
1981
chi
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