RRAM的氧空位与金属细丝机制SPM的比较

• 作者: 傅兴华 李丛飞 李良荣 赵海臣
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 阻变存储器(RRAM) 导电原子力显微镜(CAFM) 扫描探针显微镜(SPM) 阻变机制 氧空位机制 金属细丝机制
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 24-29
• 分类号: O766.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2014.01.004

摘要

应用扫描探针显微镜(SPM)技术实现了氧化物阻变薄膜局部区域高低阻态的互相转变.通过电激励、编程和擦除等操作,控制细丝的产生和断裂,实现了阻变薄膜局域的重复编程/擦除操作.用该方法分别研究了氧空位机制与金属导电细丝机制的氧化物薄膜的阻变特性,对两种机制做了对比研究.结果表明:在阻变存储器(RRAM)中氧空位机制在导电细丝和数据密度方面要高于金属细丝机制.同时,金属细丝机制阻变薄膜部分区域因编程/擦除操作发生了永久性形貌变化,可能对阻变器件的电极产生永久性破坏,这说明氧空位机制阻变薄膜在未来的高密度存储上具有较好的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅兴华	贵州大学电子信息学院	57	181	8.0	9.0
2	李良荣	贵州大学电子信息学院	58	261	10.0	13.0
3	赵海臣	贵州大学电子信息学院	3	21	1.0	3.0
4	李丛飞	贵州大学电子信息学院	2	20	1.0	2.0