硼掺杂比对p型微晶硅薄膜生长特性的影响

• 作者: 任凤章 卢景霄 孙浩亮 李新利 柳勇 马战红
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 射频等离子体增强化学气相沉积 微晶硅薄膜 硼掺杂 原位表征 生长机理
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 763-767
• 分类号: TN305.92
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.10.009

摘要

采用射频等离子体增强化学气相沉积法制备了硼不同掺杂比系列的p型微晶硅薄膜.采用光发射谱仪对薄膜的沉积过程进行了原位表征,采用喇曼光谱和椭圆偏振光谱仪对薄膜的结构及性能进行了分析.结果表明:随着硼掺杂比的增加,SiH*,Hα和Hβ的发射峰强度都呈现出先快速减小然后达到稳定状态的特点.在硼小剂量掺杂时,硼的催化作用促进了薄膜的晶化;但是随着硼掺杂比的进一步增加,薄膜的晶化率下降.在薄膜生长过程中,薄膜的沉积速率和生长指数β均随掺杂比的增加而增加,这主要是因为硼不仅促进了薄膜生长还加速了薄膜的粗糙化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马战红	河南科技大学材料科学与工程学院	45	226	8.0	12.0
2	任凤章	河南科技大学材料科学与工程学院	221	1239	16.0	22.0
3	卢景霄	郑州大学材料物理教育部重点实验室	100	570	12.0	17.0
4	孙浩亮	河南科技大学材料科学与工程学院	12	74	4.0	8.0
5	李新利	河南科技大学材料科学与工程学院	23	18	2.0	2.0
7	柳勇	河南科技大学材料科学与工程学院	8	3	1.0	1.0