SiC功率器件在Buck电路中的应用研究

• 作者: 秦海鸿 袁源 陆蓉 马策宇
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体器件 特性参数 主功率部分 控制驱动部分
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 装置及应用
• 页码范围: 54-57
• 页数: 4页
• 分类号: TM3
• 字数: 3776字
• 语种: 中文

摘要

近年来,一种新型半导体器件碳化硅(SiC)以其优良的性能逐渐受到人们的关注.介绍了SiC的材料特性及基于SiC的功率开关器件的特性,并对其在Buck电路中的应用进行了探索.主要对SiC器件的特性参数进行分析,并对Buck电路的主功率部分及控制驱动部分进行了设计.通过设计Buck电路并进行仿真实验,验证了理论设计的正确性.实验结果表明,SiC MOSFET器件在高频大电压的应用场合相对于硅(Si) MOSFET器件有着开关损耗低,效率高等优点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦海鸿		99	729	14.0	23.0
2	袁源		4	47	2.0	4.0
3	马策宇		4	20	2.0	4.0
4	陆蓉		1	13	1.0	1.0