反射环对区熔炉温度场的影响

• 作者: 傅林坚 叶欣 张俊 曹建伟 朱亮 欧阳鹏根 沈文杰 石刚 邱敏秀
• 来源期刊: 机电工程
• 学科: 工学
• 关键词: 悬浮区熔法 反射环 数值模拟 温度场
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 机械、仪表技术
• 页码范围: 62-66
• 页数: 5页
• 分类号: TH142|TN30
• 字数: 3260字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4551.2014.01.013

摘要

针对悬浮区熔法生长较大直径的单晶硅时,单晶硅外部的轴向温度梯度比内部温度梯度大很多,从而导致硅单晶径向电阻率不均匀及生长裂纹的问题.通过有限元法对生长区熔硅单晶的温度场进行了数值模拟,建立了有反射环和无反射环的两种模型,得到了两种模型下的单晶温度分布图,并对比分析了两种模型下的单晶外表面温度分布及纵向温度梯度分布.研究结果表明,反射环可改善温度场分布,降低单晶硅外表面轴向温度梯度,使晶体径向温度趋于一致,提高硅单晶径向电阻率均匀性,并有效解决了生长过程中单晶硅易出现裂纹的问题.