氮化铝-铝复合封装基板的制备

• 作者: 彭雷 李明鹤 王文峰
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 金属基板 氮化铝 阳极氧化铝 COB封装
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 页码范围: 5-8
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.94
• 字数: 2391字
• 语种: 中文

摘要

采用磁控溅射法在阳极氧化预处理过的铝板上沉积氮化铝薄膜，制备氮化铝-铝复合基板。制备的氮化铝为非晶态，抗电强度超过700 V/μm，阳极氧化铝抗电强度达75 V/μm。当阳极氧化铝膜厚约10μm、氮化铝膜约1μm时，制备的复合封装基板击穿电压超过1350 V，绝缘电阻率1.7×106 MΩ·cm，氮化铝与铝板的结合强度超过8 MPa；阳极氧化铝膜作为缓冲层有效缓解了氮化铝与铝热膨胀系数失配的问题，在260℃热冲击下，铝板未发生形变，氮化铝膜未破裂，电学性能无明显变化。氮化铝与阳极氧化膜的可见光高透性保持了镜面抛光金属铝的高反射率，当该复合基板应用于LED芯片COB封装时，有助于提高封装光效。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王文峰	湖北大学物理与电子科学技术学院	15	47	4.0	6.0
2	李明鹤	湖北大学物理与电子科学技术学院	1	6	1.0	1.0
3	彭雷	湖北大学物理与电子科学技术学院	1	6	1.0	1.0