TM11模对高功率盒形窗次级电子倍增效应影响的研究

• 作者: 张雪 朱方 王勇 范俊杰
• 来源期刊: 真空电子技术
• 关键词: 盒形窗 TM11模 次级电子倍增 阈值
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 微波管专辑
• 页码范围: 19-23
• 页数: 5页
• 字数: 3094字
• 语种: 中文

摘要

本文对S波段盒形窗内TE11模和TM11模两个模式存在下的次级电子倍增效应进行了分析,证明了TM11的存在会影响盒形窗次级电子倍增的阈值,通过对比双面法向谐振倍增(法向电场激励)和单面切向倍增(切向电场激励)两种倍增方式,证明了TM11模法向场的存在改变了窗片表面次级电子倍增的轨迹,使次级电子倍增的电场阈值上限降低,且该现象是由倍增初期的窗片表面的双面谐振所致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王勇	中国科学院电子学研究所中国科学院高功率微波源与技术重点实验室	507	5142	33.0	48.0
2	张雪	中国科学院电子学研究所中国科学院高功率微波源与技术重点实验室	37	172	6.0	12.0
3	范俊杰	中国科学院电子学研究所中国科学院高功率微波源与技术重点实验室	7	15	3.0	3.0
4	朱方	中国科学院电子学研究所中国科学院高功率微波源与技术重点实验室	7	41	3.0	6.0