无引线封装高温压力传感器

• 作者: 吴佐飞 尹延昭 田雷 苗欣
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 无引线封装 高温 压力传感器 绝缘层上硅(SOI) 多层金属电极
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 921-925
• 分类号: TP212
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.12.008

摘要

研究的压力敏感芯片利用单晶硅的压阻效应原理制成;采用绝缘层上硅(SOI)材料取消了敏感电阻之间的pn结,有效减小了漏电,提高了传感器的稳定性;用多层复合电极替代传统的铝电极,并应用高掺杂点电极技术,提高了传感器使用温度.封装时,将硅敏感芯片的正面与硼硅玻璃进行对准气密静电键合;在硼硅玻璃的相应位置加工引线孔,将芯片电极和管壳管脚用烧结的方法实现电连接,形成无引线封装结构.采用无油封装方法,避免了含油封装中硅油耐温能力差的问题.对高温压力敏感芯体结构进行了热应力分析,并对无引线封装方法进行了研究.对研制的无引线封装高温压力传感器进行了性能测试,测试结果与设计相符,其中传感器的测量范围为0～0.7 MPa,非线性优于0.2％FS,工作温度上限可达450℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	尹延昭	中国电子科技集团公司第四十九研究所	6	34	3.0	5.0
2	田雷	中国电子科技集团公司第四十九研究所	15	52	5.0	6.0
3	吴佐飞	中国电子科技集团公司第四十九研究所	7	13	2.0	3.0
4	苗欣	中国电子科技集团公司第四十九研究所	3	8	2.0	2.0