低功耗宽带CMOS低噪声放大器

• 作者: 丁春宝 周孟龙 张万荣 张卿远 邵翔鹏 霍文娟 高栋 鲁东
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器 低功耗 电流复用 CMOS
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 电子电路设计分析及应用
• 页码范围: 908-911
• 页数: 4页
• 分类号: TN22.3
• 字数: 3913字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2014.05.024

摘要

实现了一款低功耗的宽带低噪声放大器( LNA)。该低噪声放大器由三级电路组成,由于每一级都采用了电流复用技术,显著地降低了功耗。在电路中产生负零点来抵消极点,提高增益平坦度。低Q值电路拓展带宽。经0.18μm TSMC CMOS工艺仿真验证,在3 V的电源电压下,功耗仅为4.89 mW。另外在1 GHz~4.5 GHz频带范围内,电压增益( S21)为(14.8±0.4)dB,噪声系数(NF)介于3.1 dB~4.2 dB之间,输入、输出反射系数(S11、S22)均小于-10 dB。在4 GHz时,输入三阶交调点(IIP3)达到-11 dBm。结果表明该LNA性能良好。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张万荣	北京工业大学电子信息与控制工程学院	105	390	8.0	12.0
2	丁春宝	北京工业大学电子信息与控制工程学院	21	83	6.0	7.0
3	邵翔鹏	北京工业大学电子信息与控制工程学院	3	15	3.0	3.0
4	张卿远	北京工业大学电子信息与控制工程学院	3	15	3.0	3.0
5	高栋	北京工业大学电子信息与控制工程学院	5	24	3.0	4.0
6	周孟龙	北京工业大学电子信息与控制工程学院	3	15	3.0	3.0
7	鲁东	北京工业大学电子信息与控制工程学院	3	20	3.0	3.0