基于晶体三极管的不同中子能谱等效性实验研究

• 作者: 荣茹 邱东 邹德惠 鲁艺
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 辐射效应 损伤常数 等效性系数 硅双极晶体管 快中子临界装置
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 核电子学与仪器
• 页码范围: 60-65
• 页数: 6页
• 分类号: TL81
• 字数: 3437字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11889/j.0253-3219.2014.hjs.37.060403

摘要

辐射损伤等效性系数是评价不同中子能谱对样品的实验损伤差异的关键.利用晶体管直流增益的倒数与中子注量呈线性关系这一特点,采用参数一致性好的硅双极晶体管3DG121C作为位移损伤探测器,通过在线监测晶体管直流增益随累积中子注量的变化,分别获得了CFBR-Ⅱ堆两个特定位置的损伤常数,推导出了不同中子能谱间的辐射损伤等效系数.结果表明,CFBR-Ⅱ不同位置的辐射损伤没有显著差异.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邱东	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	21	62	5.0	7.0
2	鲁艺	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	18	48	4.0	5.0
3	邹德惠	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	2	8	2.0	2.0
4	荣茹	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	17	34	4.0	4.0