In-As共掺杂GaSb的第一性原理研究

• 作者: 何静芳 刘宝元 周鹏力 张雷 马蕾
• 来源期刊: 中国粉体技术
• 关键词: 第一性原理 掺杂 电子结构
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 颗粒测试与表征
• 页码范围: 37-41
• 页数: 5页
• 分类号: TG146.2+3
• 语种: 中文
• DOI: 10.13732/j.issn.1008-5548.2014.05.009

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,计算未掺杂,In、As单掺及In-As共掺GaSb的晶格参数、能带结构、态密度和吸收光谱.结果表明:掺杂后GaSb晶格发生畸变,As单掺GaSb的晶格常数增大,带隙减小,导致吸收光谱蓝移;而In单掺和In-As共掺GaSb晶格常数变大,且禁带宽度均减小,致使吸收光谱红移,这也是实验上造成掺杂GaSb热光伏电池吸收光谱扩展的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马蕾	河北大学电子信息工程学院	43	157	8.0	10.0
5	张雷	河北大学电子信息工程学院	27	33	3.0	4.0
6	何静芳	河北大学电子信息工程学院	5	28	4.0	5.0
7	周鹏力	河北大学电子信息工程学院	5	28	4.0	5.0
8	刘宝元	河北大学电子信息工程学院	3	7	2.0	2.0