电路级热载流子效应仿真研究

• 作者: 周晓彬 曹燕杰 陈菊 高国平
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 热载流子效应 MOSFET IC
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 页码范围: 42-44
• 页数: 3页
• 分类号: TN303
• 字数: 1629字
• 语种: 中文

摘要

随着集成电路制造工艺的不断进步，沟道长度、结深、栅氧厚度等特征尺寸不断减小，而电路的电源电压没有按比例减小，易造成MOSFET的电流-电压特性退化，需要提前在设计阶段加以考虑。对电路长期可靠性问题中的热载流子效应（HCI）进行了仿真研究。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高国平		6	4	1.0	1.0
2	曹燕杰		2	1	1.0	1.0
3	周晓彬		5	3	1.0	1.0
4	陈菊		3	2	1.0	1.0