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摘要:
采用对温度敏感的锑化铟(InSb)材料做基底设计了一种温控太赫兹波带阻滤波器.通过控制外部温度的高低来改变锑化铟基底的相对介电常数,从而实现对太赫兹波滤波器中心工作频率点的动态调节.计算结果表明,当温度由140K增加到200K时,该滤波器的中心频率从0.920 THz增加到1.060 THz,向高频方向移动了0.140 THz,且中心频率点的透射参数均小于-20 dB,获得良好的可调带阻滤波功能.
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文献信息
篇名 基于温敏介质的温控太赫兹波带阻滤波器研究
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 太赫兹波 锑化铟 等效电路模型 滤波器 开口谐振环 温控
年,卷(期) 2014,(5) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 57-60
页数 4页 分类号 TN713
字数 2305字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2014.05.014
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李九生 中国计量学院信息工程学院 55 232 9.0 13.0
2 胡建荣 中国计量学院信息工程学院 6 30 3.0 5.0
3 程伟 中国计量学院信息工程学院 6 22 3.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
太赫兹波
锑化铟
等效电路模型
滤波器
开口谐振环
温控
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
出版文献量(篇)
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31758
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