In-Ga共掺杂ZnO的第一性原理计算

• 作者: 史守山 郝华 闫小兵
• 来源期刊: 中国粉体技术
• 关键词: In-Ga共掺杂 电子结构 光学性质 第一性原理
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 颗粒测试与表征
• 页码范围: 33-36
• 页数: 4页
• 分类号: TG146.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13732/j.issn.1008-5548.2014.05.008

摘要

利用基于密度泛函理论的第一性原理,研究本征ZnO、In和Ga分别单掺杂及In-Ga共掺杂ZnO的电子结构和光学性质.结果表明:In掺杂的ZnO晶胞体积减小,Ga掺杂的ZnO晶胞体积增大,In-Ga共掺杂的ZnO晶胞体积增大是由掺入的Ga决定的;在ZnO禁带中引入杂质能级,禁带宽度变小,导电能力提高;In-Ga共掺杂后,ZnO吸收带边红移,在波长为302.3～766.8 nm的可见光范围内吸收减弱.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫小兵	河北大学电子信息工程学院	22	70	4.0	8.0
2	史守山	河北大学电子信息工程学院	6	11	2.0	3.0
3	郝华	河北大学电子信息工程学院	2	3	1.0	1.0