稀土Dy掺杂对ZnO,CdO和SnO2薄膜性能的影响

• 作者: 李健 韩菲
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 热蒸发 CdO ZnO SnO2 薄膜 稀土Dy掺杂 热处理
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 936-942
• 分类号: TN304.055
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.12.011

摘要

用热蒸发法和热处理制备稀土Dy掺杂金属氧化物CdO,ZnO和SnO2薄膜,研究不同Dy掺杂浓度及热处理对3种薄膜性能的影响.XRD和SEM测试结果显示:适当的Dy掺杂和热处理可改善薄膜的结构特性,使薄膜表面的致密性变好.CdO,ZnO和SnO2薄膜的最佳掺Dy原子数分数为5％,5％和3％.掺Dy后CdO,ZnO和SnO2薄膜的导电类型均为n型,电阻值降低约一个数量级.Dy掺杂使得薄膜的致密性增加而导致光透过率降低.制备的薄膜都是直接带隙半导体,相应的光学带隙:CdO约2.232 eV,CdO∶Dy(Dy原子数分数5％)的略增为2.241 eV,ZnO薄膜约为3.31 eV; ZnO∶Dy(Dy原子数分数5％)约3.25 eV,SnO2薄膜约3.07 eV,SnO2∶Dy(Dy原子数分数3％)约3.03 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李健	内蒙古大学物理科学与技术学院	36	200	7.0	12.0
2	韩菲	燕京理工学院机电工程学院	3	2	1.0	1.0