外延参数稳定性控制方法

• 作者: 王海红 高翔
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 外延厚度 外延电阻率 刻蚀基座 优化
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 页码范围: 38-41
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2216字
• 语种: 中文

摘要

外延工艺广泛应用于双极集成电路、高压器件和CMOS集成电路。批量生产中的核心问题是产品参数控制的稳定性、均匀性和可重复性，从而提高外延片的成品率并降低多次调整带来的成本。讨论了影响硅外延层厚度和电阻率稳定控制的主要因素，通过优化刻蚀基座程序，使得桶式炉外延层厚度和电阻率得到良好的控制，一方面提高了产品的良率，另一方面大大降低了桶式炉硅外延片的生产成本，提高了经济效益。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王海红		6	6	2.0	2.0
2	高翔		1	2	1.0	1.0