锗酸锶纳米线光催化降解罗丹明B的研究

• 作者: 李洋 王帅 田浪 蒋宇翔 裴立宅 金海波
• 来源期刊: 铜业工程
• 关键词: 锗酸锶纳米线 光催化 扫描电子显微镜 罗丹明B
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 材料制备与加工工程
• 页码范围: 19-22,34
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.3
• 语种: 中文

摘要

以锗酸锶纳米线作为光催化材料，分析了光照时间、锗酸锶纳米线用量及罗丹明B浓度对锗酸锶纳米线光催化降解罗丹明B的影响。固体紫外漫散射光谱表明锗酸锶纳米线属于典型的半导体，禁带宽度为3.67eV。随着光照时间的增加，罗丹明B的降解率增加。罗丹明B的起始浓度为10mgL-1、锗酸锶纳米线用量为20mg及光照时间4h时，罗丹明B的降解率为72.39%。随着罗丹明B浓度的增加，其降解率降低至34.92%。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	裴立宅	安徽工业大学材料科学与工程学院	47	141	8.0	10.0
2	王帅	安徽工业大学材料科学与工程学院	10	14	2.0	3.0
3	蒋宇翔	安徽工业大学材料科学与工程学院	3	4	2.0	2.0
4	李洋	安徽工业大学材料科学与工程学院	5	5	2.0	2.0
5	田浪	安徽工业大学材料科学与工程学院	3	4	2.0	2.0
6	金海波	安徽工业大学材料科学与工程学院	3	4	2.0	2.0