基于纳米压痕测试的超细晶 Si2 N2 O-Si3 N4陶瓷室温蠕变特性

• 作者: 侯红亮 尚可 赵志勇
• 来源期刊: 精密成形工程
• 学科: 工学
• 关键词: Si2 N2 O-Si3 N4 纳米压痕 加载效应 蠕变应力指数
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 页码范围: 59-63
• 页数: 5页
• 分类号: TB302.3
• 字数: 2440字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-6457.2014.05.010

摘要

目的：陶瓷材料由于其固有硬脆性,难以利用传统单轴拉伸与压缩实验测试其蠕变性能,而纳米压痕测试技术对试样形状尺寸没有特殊要求,因此利用纳米压痕测试技术研究 Si2 N2 O-Si3 N4超细晶陶瓷的室温蠕变性能。方法针对1600,1650,1700℃条件下烧结制备的 Si2 N2 O-Si3 N4超细晶陶瓷,采用纳米压痕技术测试材料在最大载荷分别为5000,6000和7000μN 条件下的载荷-位移曲线,并通过拟合计算获得了3种材料室温蠕变应力指数。结果3种材料均呈现明显的加载效应。结论研究表明,在相同载荷下,压入深度和蠕变位移都随着材料烧结温度的升高而增大,且相同材料的蠕变应力指数,随着保压载荷的增大而减小。对比分析发现,在1600℃条件下烧结制备的 Si2 N2 O-Si3 N4超细晶陶瓷,晶粒细小均匀,晶界数多,室温下表现出较强的蠕变性能。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯红亮		103	814	14.0	24.0
2	尚可		5	48	3.0	5.0
3	赵志勇		1	1	1.0	1.0