Al2O3对晶硅电池的表面钝化研究

• 作者: 丁武昌 孙兵 孙昀 孟彦龙 李昊峰 王仕建 贾锐 邢钊 陈晨
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳电池 Al2O3 表面钝化
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 页码范围: 492-497
• 页数: 6页
• 分类号: TN2
• 字数: 3835字
• 语种: 中文

摘要

采用原子层沉积(Atomic layer Deposition,ALD)工艺制备了Al2O3,并对晶硅电池的表面进行钝化.通过与采用传统热氧化SiO2钝化的p型晶硅电池相比较,采用Al2O3钝化后晶硅太阳电池开路电压可提高5％.在未经制绒处理的情况下,短路电流可提高17.4％.通过对不同钝化技术下晶硅电池少子寿命变化以及发射区方阻变化的分析,采用原子层沉积工艺制备的Al2O3不仅能对晶硅电池表面实现良好钝化,还可避免高温氧化工艺对电池发射区的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李昊峰	中国科学院微电子研究所	10	34	4.0	5.0
2	贾锐	中国科学院微电子研究所	29	160	6.0	11.0
3	陈晨	中国科学院微电子研究所	68	446	12.0	18.0
4	孙兵	中国科学院微电子研究所	29	123	6.0	10.0
5	孙昀	中国科学院微电子研究所	3	5	1.0	2.0
6	孟彦龙	中国科学院微电子研究所	7	24	3.0	4.0
7	王仕建	中国科学院微电子研究所	2	4	1.0	2.0
8	丁武昌	中国科学院微电子研究所	6	13	2.0	3.0
9	邢钊	中国科学院微电子研究所	3	2	1.0	1.0