同位镀锑方波溶出伏安法测定痕量铅、镉

• 作者: 司士辉 文静
• 来源期刊: 福建师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: 同位镀锑 方波溶出伏安法 铅 镉 玻碳电极
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 页码范围: 75-79,86
• 页数: 6页
• 分类号: O657.1
• 语种: 中文

摘要

采用同位镀锑膜法修饰玻碳电极(GCE),用方波溶出伏安法(SWSV)对痕量铅、镉同时进行了测定.在最优的实验条件下,Pb、Cd分别在-0.5,-0.78 V(vs Ag/AgCl)附近产生灵敏的溶出峰,当Pd、Cd的质量浓度分别在5～110μg·L-1范围内时,峰电流与质量浓度呈良好的线性关系,检出限分别为1.2 μg· L-1和0.8μg·L-1.利用该法测定大米中的镉,相对标准偏差在2.6％ ～3.5％,并与电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-AES)做了对比,测定结果良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	司士辉		74	536	12.0	18.0
2	文静		6	13	3.0	3.0