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摘要:
为了合理地设计光学系统以整形大功率激光二极管阵列(High Diode Laser Stack)出射光束,必须准确了解HDLS的远场分布,然而对于HDLS远场分布的研究还不多。从亥姆霍兹方程出发,以激光二极管(Diode Laser)远场分布特性为基础,提出了一种新的半导体激光器阵列的远场分布模型,通过计算机仿真给出了简化DLS 模型的远场光场变化图;模型还可表示不对称的双峰结构,有一定的现实意义。
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文献信息
篇名 大功率堆积型激光阵列光束的远场分布模型
来源期刊 激光与红外 学科 工学
关键词 半导体激光器阵列 双峰结构 远场分布模型 光强分布
年,卷(期) 2014,(1) 所属期刊栏目 激光器技术
研究方向 页码范围 22-24
页数 3页 分类号 TN284.4
字数 1529字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-5078.2014.01.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王晋国 长安大学理学院 42 223 7.0 14.0
2 高全华 长安大学理学院 16 78 6.0 8.0
3 孙锋利 长安大学理学院 4 16 2.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
半导体激光器阵列
双峰结构
远场分布模型
光强分布
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
激光与红外
月刊
1001-5078
11-2436/TN
大16开
北京8511信箱《激光与红外》杂志社
2-312
1971
chi
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44711
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