4H-SiC外延晶片表面三角型缺陷形成机制及其优化工艺的研究

• 作者: 冯淦 孙永强 李奕洋 钮应喜 钱卫宁
• 来源期刊: 智能电网
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 同质外延 三角型缺陷 缓冲层优化 衬底预刻蚀
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 页码范围: 46-49
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 1987字
• 语种: 中文

摘要

通过光学显微镜和表面缺陷检测仪对4H-SiC外延晶片表面三角型缺陷进行观测和分析，发现三角型缺陷大致可以分为两类：头部无任何异物的三角型缺陷和头部带有异物的三角型缺陷。通过理论分析认为：头部无异物缺陷主要是由于缓冲层和外延层的生长条件不同引起的；头部有异物缺陷主要是由于衬底玷污和生长过程中的掉落物引起的。在此基础上针对两种不同缺陷分别提出了相应外延优化工艺：缓冲层优化工艺和生长前衬底刻蚀优化工艺。实验结果显示，这两种优化工艺有效降低了三角型缺陷的数量，提高了外延晶片质量。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钮应喜		4	6	1.0	2.0
2	钱卫宁		1	0	0.0	0.0
3	冯淦		1	0	0.0	0.0
4	孙永强		1	0	0.0	0.0
5	李奕洋		1	0	0.0	0.0