聚焦电子束辐照诱导单晶Si纳米线的选择性非晶化和新型同轴结构的形成

• 作者: 李论雄 李锋 苏江滨
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: Si纳米线 选择性非晶化 同轴结构 能量束非热激活效应 纳米曲率效应
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 研究 开发
• 页码范围: 03079-03082
• 页数: 4页
• 分类号: TB383
• 字数: 1829字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2014.03.018

摘要

使用改进的原位透射电镜观察技术研究了室温下单晶 Si 纳米线在聚焦电子束辐照下的结构不稳定性。实验发现辐照区域内单晶 Si 纳米线外层会优先非晶化且局部径向膨胀，并随辐照剂量增加进一步形成新型3层包裹同轴结构等一系列有趣的变化。传统 knock-on 机制和电子束热效应并不能完全解释上述实验现象，然而利用最近提出的纳米曲率效应和电子束非热激活效应则能得到较好的解释。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苏江滨	常州大学数理学院	8	5	2.0	2.0
2	李论雄	厦门大学化学系	4	8	2.0	2.0