4H-SiC电流型探测器对60Co源γ射线的响应研究

• 作者: 吴健 李明富 李莉 郭子瑜 金长江
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 探测器 γ响应
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 页码范围: 618-621
• 页数: 4页
• 分类号: TL814
• 字数: 1501字
• 语种: 中文

摘要

为研究4H-SiC电流型探测器对γ射线的探测性能，采用4H-SiC制成肖特基二极管，并利用60 Co源形成的强γ辐射场研究其对γ射线的响应特性及其影响因素。实验结果表明，当外加反向电压为195 V时，4H-SiC探测器漏电流仅为11．4 pA/cm2，远低于Si基探测器漏电流。当4H-SiC探测器置于强γ辐射场时，由γ射线导致的信号电流为249 nA，比本底信号电流大5个量级。同时4H-SiC探测器在零偏压时也能对γ射线产生明显的信号，均值电流为85 nA。随工作电压增大，4H-SiC探测器的γ响应随之增大。结合4H-SiC探测器体积小、响应快、耐高温和耐辐照等特点，可将4H-SiC探测器用于强钴源点注量在线监测等方面。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭子瑜	成都航空职业技术学院航空电子工程系	2	6	2.0	2.0
2	李明富	成都航空职业技术学院航空电子工程系	12	58	3.0	7.0
3	李莉	成都航空职业技术学院航空电子工程系	4	9	2.0	3.0
4	金长江	成都航空职业技术学院航空电子工程系	3	6	2.0	2.0
5	吴健	中国工程物理研究院中子物理重点实验室	8	12	2.0	3.0