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摘要:
以热氧化钨丝法制备的WO3纳米材料为基材制备了厚膜气敏元件,在常温、紫外光激发条件下实验测试了所制纯WO3气敏元件对不同体积分数的H2S气体的气敏特性曲线,探讨了元件对H2S的灵敏度与紫外光的辐射通量密度的依赖关系.结果表明,常温、无紫外光照下WO3气敏元件对H2S不敏感,而在常温及紫外光激发下WO3气敏元件对H2S的灵敏度显著增大,且随着紫外光辐射通量密度增加,元件对H2S的灵敏度先增大而后减小.
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关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 紫外光照下WO3的H2S气敏特性研究
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 电子技术 H2S传感器 气敏性能 WO3 紫外光照 辐射通量密度
年,卷(期) 2014,(5) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 53-56
页数 4页 分类号 TN304.9
字数 2433字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2014.05.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李静玲 福建工程学院环境工程系 14 49 4.0 6.0
2 李玉良 闽江学院电子系 13 17 2.0 3.0
3 余华梁 闽江学院电子系 9 16 2.0 3.0
4 周赢武 闽江学院电子系 24 116 6.0 10.0
5 吴一纯 厦门大学能源学院 8 19 2.0 4.0
传播情况
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电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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