碳纳米管非金属掺杂对结构和性能影响的研究

• 作者: 成永军 李得天 李正海 董长昆 邵希吉
• 来源期刊: 真空与低温
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳纳米管 非金属原子 掺杂 场发射
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 193-200
• 页数: 8页
• 分类号: O462.4
• 字数: 4649字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-7086.2014.04.002

摘要

通过讨论氮、硼、硅、氟等非金属原子掺杂的碳纳米管，对场电子发射特性的影响。介绍了掺杂在场电子发射、能源电池、气体传感器等领域的研究和应用。掺杂可以增加碳纳米管的缺陷，改变其电子结构。掺杂可使碳纳米管转变为n型半导体或是金属性导体，将提高场发射性能。同时，掺杂亦可使碳纳米管向p型半导体转变，这将不利于场发射性能改善。当场发射性能随着掺杂浓度升高而提高时，存在最佳掺杂浓度值，一旦超出，则场发射性能逐渐下降。因此，研究碳纳米管非金属掺杂具有重要的应用价值。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李得天	温州大学微纳结构与光电器件研究所	55	149	6.0	9.0
3	董长昆	温州大学微纳结构与光电器件研究所	10	15	2.0	3.0
5	成永军		34	75	6.0	7.0
8	邵希吉	温州大学微纳结构与光电器件研究所	2	1	1.0	1.0
11	李正海		1	1	1.0	1.0