表面等离子体提高GaN-LED发光效率的研究进展

• 作者: 刘宏伟 刘春影 李晓云 杨华 牛萍娟 苗长云
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓发光二极管 表面等离子体 内量子效率 光提取 发光效率
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 881-887
• 分类号: TN312.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.12.001

摘要

表面等离子体能够增强氮化镓发光二极管的发光效率,为高效发光二极管芯片的研究提供了可行的方案.近年来,国内外研究小组在利用表面等离子体增强氮化镓发光二极管发光效率的实验中,取得了很多有价值的结果.介绍了具有金属薄膜、金属颗粒和金属光子晶体等典型结构的氮化镓发光二极管.重点探讨了表面等离子体增强发光二极管发光的机理、结构和关键技术.对具有二维金属光子晶体的氮化镓发光二极管发光增强机理进行了分析和预测,认为利用二维光子晶体可以从内量子效率和外量子效率两方面增强器件发光,并且有很好的可控制性,是提高发光效率的可行方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苗长云	天津工业大学电子与信息工程学院	157	947	14.0	21.0
2	牛萍娟	天津工业大学电子与信息工程学院	123	617	13.0	17.0
3	杨华	天津工业大学电子与信息工程学院	4	11	2.0	3.0
4	李晓云	天津工业大学电子与信息工程学院	21	75	4.0	8.0
5	刘宏伟	天津工业大学电子与信息工程学院	17	30	4.0	4.0
6	刘春影	天津工业大学电子与信息工程学院	2	5	1.0	2.0