磁控溅射基片负偏压对Ti/TiN复合纳米薄膜择优取向的影响

• 作者: 孙维连 孙铂 王会强 董婷婷 邢艳秋
• 来源期刊: 材料热处理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 纳米膜层 择优取向 基片负偏压
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 表面改性
• 页码范围: 193-197
• 分类号: TG174.444
• 语种: 中文

摘要

采用中频反应磁控溅射技术,以高纯Ti(99.99％)为靶材,以高纯氮气(99.99％)为反应气体,在铝合金基片上沉积Ti/TiN复合纳米膜层.通过XRD、SEM、EDS等分析Ti/TiN复合纳米膜层微观组织和物相结构,研究基片负偏压对Ti/TiN复合纳米薄膜择优取向生长的影响.研究表明,将片加上-150 V负偏压时,Ti/TiN薄膜优先沿(111)面生长;将基片加上-200 V负偏压时,Ti/TiN薄膜优先沿(220)面生长;将基片加上-350 V负偏压时,Ti/TiN薄膜优先沿(200)面生长.继续增大基片负偏压时,由于薄膜中Ar离子浓度大幅增长,高能离子长时间轰击破坏晶粒取向性,使薄膜呈无择优取向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙维连	河北农业大学机电工程学院	96	375	10.0	12.0
2	董婷婷	河北农业大学机电工程学院	30	83	5.0	8.0
3	王会强	河北农业大学机电工程学院	60	154	6.0	8.0
4	邢艳秋	河北农业大学机电工程学院	12	33	4.0	5.0
5	孙铂	河北农业大学机电工程学院	37	112	6.0	8.0