MoSi2发热元件高温通电氧化成膜规律

• 作者: 刘会群 周宏明 易丹青 朱慧娟 江川
• 来源期刊: 中国钼业
• 学科: 工学
• 关键词: MoSi2 发热元件 通电氧化 氧化层 抗弯强度
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 金属加工
• 页码范围: 44-49
• 页数: 6页
• 分类号: TF124
• 字数: 3745字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13384/j.cnki.cmi.1006-2602.2014.04.012

摘要

研究了MoSi2发热元件在1400～1600℃，空气中氧化0．25～3 h的氧化成膜规律，采用SEM和EDS测试技术分析了MoSi2发热元件通电氧化以后氧化层的组织形貌和相组成，并对其氧化膜的生长规律和抗弯强度变化原因进行了探讨。结果表明：MoSi2发热元件氧化膜生长规律符合L＝0．43＋5．05′107exp（-28397．88T ）t1/2关系，氧化激活能为236 kJ/mol。抗弯强度随着氧化膜的致密和增厚而提高，在1600℃通电氧化3 h后，氧化膜生长了22．3μm，抗弯强度达到了273 MPa，比氧化前提高了51．67％。