高纯细晶Al2O3陶瓷金属化工艺研究

• 作者: 张巨先 陈丽梅 黄亦工
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高纯细晶Al2O3陶瓷 抗拉强度 显微结构 金属化层
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 电子陶瓷、陶瓷-金属封接专辑
• 页码范围: 76-80
• 页数: 5页
• 分类号: TB756
• 字数: 3357字
• 语种: 中文

摘要

本文主要从金属化配方、涂膏方法、金属化层的厚度、金属化温度和镍层的厚度等工艺角度对高纯、细晶Al2O3陶瓷的封接性能进行研究和分析.其结果显示,采用高Mo含量的金属化膏剂、丝网印刷的涂膏方法、金属化层的厚度约为20μm、在1450℃下烧结,镍层的厚度5μm左右时,其平均抗拉强度可达143 MPa,超出行业标准50％以上,其显微结构更加连贯、均匀、致密.