一种多通道NAND Flash阵列的坏块管理方案

• 作者: 崔建杰 张新 张雯
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 大容量存储 坏块管理 二分法 NAND Flash阵列 FRAM
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 816-821
• 页数: 6页
• 分类号: TP333
• 字数: 2329字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2014.05.004

摘要

针对多通道NAND Flash阵列对可靠性的要求,提出一种坏块管理方案,优化坏块信息的存储和查询方法,把坏块和替换块地址映射表存储在FRAM中。测试数据证明,方案可以实现多通道NAND Flash阵列的坏块管理,保证了存储的可靠性。优化的坏块表及查询方法缩短了坏块查询时间,FRAM节省了有效块地址映射时间,同时FRAM的铁电效应,进一步提高了数据存储的可靠性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张新	西安邮电大学电子工程学院	43	110	7.0	9.0
2	张雯	西安邮电大学电子工程学院	8	38	4.0	6.0
6	崔建杰	西安奇维科技股份有限公司研发中心	1	15	1.0	1.0