以CVD法在介电材料上直接生长石墨烯的研究进展

• 作者: 徐修文
• 来源期刊: 炭素技术
• 学科: 化学
• 关键词: 石墨烯 金属 介电材料
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 综合述评
• 页码范围: 41-44,52
• 分类号: O613.7
• 语种: 中文

摘要

石墨烯自2004年被文献报道后,便以其独特的结构和优异的性能,引起了研究者的巨大兴趣.以CVD法在金属衬底生长石墨烯是目前最常用的石墨烯制备方法,而商业应用的电子器件往往是基于介电材料为基底制作的.因此,需通过一定的方法将石墨烯转移到介电材料上,而这一过程可能会破坏石墨烯的结构或对其造成污染.引用大量文献介绍了在介电材料衬底上直接生长石墨烯的研究进展.