N-Al共掺杂4H-SiC的第一性原理计算

• 作者: 何静芳 刘磊 史茹倩 周鹏力 郑树凯 闫小兵
• 来源期刊: 中国粉体技术
• 关键词: 第一性原理 掺杂 光学性质
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 颗粒测试与表征
• 页码范围: 70-75
• 页数: 6页
• 分类号: O641.12+1
• 语种: 中文
• DOI: 10.13732/j.issn.1008-5548.2014.03.017

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,计算本征、N单掺杂、Al单掺杂及N-Al共掺杂4H-SiC的电子结构和光学性质.结果表明:N-Al共掺杂导致4H-SiC晶格膨胀,4H-SiC的禁带宽度减小,同时在4H-SiC禁带中引入了杂质能级;N、Al的单掺杂增加了4H-SiC对红外波段和可见光波段的响应,N-Al共掺杂不存在该现象;N-Al共掺杂4H-SiC较本征4H-SiC在紫外波段出现一个更大的透射窗口,吸收系数略小于本征4H-SiC的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘磊	河北大学电子信息工程学院	45	218	9.0	13.0
5	闫小兵	河北大学电子信息工程学院	22	70	4.0	8.0
6	郑树凯	河北大学电子信息工程学院	33	90	5.0	8.0
10	何静芳	河北大学电子信息工程学院	5	28	4.0	5.0
11	周鹏力	河北大学电子信息工程学院	5	28	4.0	5.0
12	史茹倩	河北大学电子信息工程学院	4	26	4.0	4.0