基于TCAD模拟的Buffer单粒子效应解析分析

• 作者: 李晓辉 杜明 邓玉良 邱恒功 邹黎
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 物理学
• 关键词: 混合模拟 TCAD 单粒子效应 缓冲 上拉补偿
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 808-811
• 页数: 4页
• 分类号: O472.8
• 字数: 3433字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2014.05.002

摘要

半导体器件和集成电路的辐射效应，其本质就是电子空穴对的产生和复合、电荷的传输与收集、界面态和氧化层陷阱电荷积累等一系列的物理过程。这些物理过程会受到各种因素的影响，例如上拉补偿管的尺寸、重离子入射角度、器件的外延层浓度等。使用TCAD器件/电路混合模式仿真了以上这些关键变量，同时分析了以上效应对对Buffer电路单粒子效应的影响。最终实验结果证明该模拟方法接近于真实情景。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邱恒功		5	9	2.0	2.0
2	邓玉良		12	23	3.0	4.0
3	杜明		6	7	2.0	2.0
4	李晓辉		5	8	2.0	2.0
5	邹黎		5	8	2.0	2.0